第四章 半导体基础 - 盘搜搜 - 百度网盘搜索神器
- file:双极性晶体管内载流子的运动.swf
- file:三级管的输出特性.swf
- file:三级管的偏置电压及连接方式.swf
- file:两种载流子.swf
- file:结型场效应的工作原理.swf
- file:本征激发(无声音).swf
- file:PN结的形成.swf
- file:N沟道增强型MOS管的结构.swf
- file:MOSFET结构.swf
分享时间 | 2016-08-22 |
---|---|
入库时间 | 2024-07-21 |
状态检测 | 有效 |
资源类型 | BDY |
分享用户 | 亿*无悔 |
<p><strong>半导体基础</strong></p> <p>半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率,其电学性质可以通过掺杂杂质来控制,从而产生各种具有特定电气特性的半导体器件。</p> <p>本章节主要介绍半导体基础,包括:</p> <ul> <li><p><strong>两种载流子:</strong>阐述半导体中存在两种载流子——电子和空穴,以及它们对电导率的影响。</p></li> <li><p><strong>本征激发:</strong>描述半导体中在热激发下产生电子-空穴对的过程,以及本征载流子浓度的计算。</p></li> <li><p><strong>PN结的形成:</strong>介绍PN结的形成过程,包括不同掺杂类型的半导体接触形成势垒、形成耗尽层和内建电场。</p></li> <li><p><strong>PN结单向导通:</strong>解释PN结的单向导通特性,即正向偏置时导通,反向偏置时截止。</p></li> <li><p><strong>双极性晶体管内载流子的运动:</strong>阐述双极性晶体管中载流子的运动原理,包括基区注入、发射极和集电极之间的漂移和扩散。</p></li> <li><p><strong>三极管的输出特性:</strong>讨论三极管的输出特性曲线,分析不同偏置条件下的输出特性。</p></li> <li><p><strong>三极管的偏置电压及连接方式:</strong>介绍三极管的各种偏置方式,包括共射极、共集电极和共基极,以及不同偏置方式的特性。</p></li> <li><p><strong>结型场效应晶体管的工作原理:</strong>解释JFET的工作原理,包括沟道形成、耗尽层调节和输出特性。</p></li> <li><p><strong>N沟道增强型MOS管的结构:</strong>阐述MOSFET的结构和增强型模式的操作原理。</p></li> <li><p><strong>MOSFET结构:</strong>介绍不同类型的MOSFET,包括增强型和耗尽型,以及它们的结构和特性。</p></li> </ul>
资源有问题?点此举报